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ATF-54143-TR1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-54143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-54143-TR1G价格参考¥14.00-¥17.50。Avago TechnologiesATF-54143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-54143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-54143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-54143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款增强型伪态高电子迁移率晶体管(pHEMT),属于射频MOSFET类晶体管,广泛应用于高频、低噪声的无线通信系统中。其主要应用场景包括: 1. 无线通信系统:适用于蜂窝基站、微波点对点通信和无线回传网络,尤其在2G至5G通信基础设施中用于低噪声放大器(LNA)和驱动放大器,提供高增益与低功耗表现。 2. 低噪声放大器(LNA):凭借极低的噪声系数(典型值0.4 dB @ 2 GHz)和高增益(约16 dB),非常适合用于接收链路前端,提升信号灵敏度,广泛应用于卫星通信、GPS导航和雷达系统。 3. 宽带射频电路:工作频率覆盖DC至4 GHz,适用于多频段射频模块,如软件定义无线电(SDR)、测试测量设备及工业射频仪器。 4. 便携式与电池供电设备:由于其低工作电压(2V)和可调偏置电流,能在保持高性能的同时降低功耗,适合用于移动通信终端、远程传感器和无人机通信模块。 5. 高可靠性工业与军工应用:具备优良的温度稳定性和可靠性,可用于恶劣环境下的通信设备,如航空航天、国防雷达和远程监测系统。 综上,ATF-54143-TR1G凭借其低噪声、高增益、宽频带和低功耗特性,成为现代高性能射频系统中的关键器件,特别适用于对信号完整性要求严苛的通信与传感应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-54143-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0488EN |
| P1dB | 20.4 dBm |
| 产品型号 | ATF-54143-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 725 mW |
| Pd-功率耗散 | 725 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1572-1 |
| 功率-输出 | 20.4dBm |
| 功率耗散 | 725 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5dB |
| 增益 | 16.6dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 410 mmho |
| 漏极连续电流 | 120 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 120mA |