图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: ATF-54143-TR1G
  • 制造商: Avago Technologies
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

ATF-54143-TR1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-54143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-54143-TR1G价格参考¥14.00-¥17.50。Avago TechnologiesATF-54143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-54143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-54143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-54143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款增强型伪态高电子迁移率晶体管(pHEMT),属于射频MOSFET类晶体管,广泛应用于高频、低噪声的无线通信系统中。其主要应用场景包括:

1. 无线通信系统:适用于蜂窝基站、微波点对点通信和无线回传网络,尤其在2G至5G通信基础设施中用于低噪声放大器(LNA)和驱动放大器,提供高增益与低功耗表现。

2. 低噪声放大器(LNA):凭借极低的噪声系数(典型值0.4 dB @ 2 GHz)和高增益(约16 dB),非常适合用于接收链路前端,提升信号灵敏度,广泛应用于卫星通信、GPS导航和雷达系统。

3. 宽带射频电路:工作频率覆盖DC至4 GHz,适用于多频段射频模块,如软件定义无线电(SDR)、测试测量设备及工业射频仪器。

4. 便携式与电池供电设备:由于其低工作电压(2V)和可调偏置电流,能在保持高性能的同时降低功耗,适合用于移动通信终端、远程传感器和无人机通信模块。

5. 高可靠性工业与军工应用:具备优良的温度稳定性和可靠性,可用于恶劣环境下的通信设备,如航空航天、国防雷达和远程监测系统。

综上,ATF-54143-TR1G凭借其低噪声、高增益、宽频带和低功耗特性,成为现代高性能射频系统中的关键器件,特别适用于对信号完整性要求严苛的通信与传感应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

120 mA

Id-连续漏极电流

120 mA

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-54143-TR1G-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-0488EN

P1dB

20.4 dBm

产品型号

ATF-54143-TR1G

PCN组件/产地

http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B

Pd-PowerDissipation

725 mW

Pd-功率耗散

725 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

516-1572-1

功率-输出

20.4dBm

功率耗散

725 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.5dB

增益

16.6dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

pHEMT FET

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

410 mmho

漏极连续电流

120 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

3V

电压-额定

5V

电流-测试

60mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2GHz

额定电流

120mA

推荐商品

型号:NE3514S02-T1C-A

品牌:CEL

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BLF6G20LS-110,118

品牌:Ampleon USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BF1105WR,135

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MRF6S27050HR5

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SD2941-10W

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MRF6V2010NBR5

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BLF246B,112

品牌:Ampleon USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PTF210451E V1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
ATF-54143-TR1G 相关产品

CGH55030F2

品牌:Cree/Wolfspeed

价格:

BLF2425M8L140J

品牌:Ampleon USA Inc.

价格:

MRF6V2300NBR1

品牌:NXP USA Inc.

价格:

MMRF1004NR1

品牌:NXP USA Inc.

价格:¥188.93-¥336.92

BLF7G20L-90P,112

品牌:Ampleon USA Inc.

价格:

MRF6VP21KHR6

品牌:NXP USA Inc.

价格:

NE3514S02-T1C-A

品牌:CEL

价格:

PD85035A-E

品牌:STMicroelectronics

价格: