Datasheet下载- 型号： BLF6G27LS-100,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-100,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27LS-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27LS-102 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高功率 LDMOS 射频场效应晶体管（MOSFET），主要应用于270–300 MHz频段，适用于高效率、高可靠性要求的射频功率放大场景。该器件典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成、介质加热及工业感应加热系统。此外，BLF6G27LS-102 也广泛用于广播电视发射机中的模拟与数字电视（如ATSC、DVB-T/T2）功率放大级，支持高效Doherty或AB类放大器设计。由于其具备高增益、优良的热稳定性和出色的耐用性，该器件同样适用于需要高输出功率（可达100W以上）和高效率的基站基础设施及专业通信设备。其坚固的封装设计确保在高温和高负载环境下仍能稳定运行，适合连续波（CW）和复杂调制信号工作。总之，BLF6G27LS-102 是高性能射频功率放大的理想选择，广泛服务于广播传输、工业加热和通信基础设施等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G27LS-100,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934064318112 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 29A |
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