ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP170PE6327
Datasheet下载- 型号： BSP170PE6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP170PE6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP170PE6327价格参考。InfineonBSP170PE6327封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP170PE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP170PE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSP170PE6327是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性以及高可靠性，适合在低电压、中等电流环境下工作。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池充放电控制与负载开关；消费类电子产品中的DC-DC转换器，用于提升电源效率；LED驱动电路中作为开关元件，实现亮度调节与稳定控制；工业控制模块中的信号切换与小功率电机驱动；以及各类家用电器中的电源开关与保护电路。 此外，BSP170PE6327采用小型化封装（如SOT-23或类似），适用于空间受限的高密度电路板设计，特别适合对尺寸和功耗敏感的应用。其良好的热稳定性和抗干扰能力也使其在汽车电子辅助系统中有所应用，例如车载信息娱乐系统的电源管理单元。 综上，BSP170PE6327凭借其高效、可靠、紧凑的特点，广泛服务于消费电子、工业控制、汽车电子及便携式设备等领域，是现代低功耗开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP170P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad7ad4400 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP170PE6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP170PE6327INCT |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Ta） |
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