ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS84PWH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BSS84PWH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84PWH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84PWH6327XTSA1价格参考￥0.14-￥0.28。InfineonBSS84PWH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3。您可以下载BSS84PWH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84PWH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS84PWH6327XTSA1 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件，广泛应用于各类低功耗电子系统中。该器件采用小型化封装（如SOT-363），具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，适合在空间受限和高密度布局的电路中使用。 典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理中的负载开关、电池供电切换、信号路由和电源关断控制。此外，BSS84PWH6327XTSA1也适用于电压电平转换电路，在不同电压域之间进行信号传输时提供稳定可靠的开关功能。 在工业控制和通信设备中，该MOSFET可用于小信号开关、LED驱动控制及保护电路，因其具备良好的栅极耐压能力和静电防护性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。同时，其低漏电流特性使其非常适合电池供电或待机功耗敏感的应用。 总之，BSS84PWH6327XTSA1凭借其高可靠性、小型封装和优异的电气性能，广泛服务于消费电子、工业自动化、通信模块及便携式设备中的电源与信号开关场景。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | 150 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS84PWH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSS84PWH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| Qg-GateCharge | 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 16.2 ns |
| 下降时间 | 20.5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 8.6 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 系列 | BSS84 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000917564 |
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