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ULN2003ADR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003ADR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003ADR价格参考¥0.73-¥0.97。Texas InstrumentsULN2003ADR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC。您可以下载ULN2003ADR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ULN2003ADR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ULN2003ADR是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列,属于双极性晶体管(BJT)阵列类别。该器件内部集成了7个NPN达林顿对管,每个通道可承受高达500mA的集电极电流和50V的峰值电压,并内置续流二极管,便于驱动感性负载。 ULN2003ADR广泛应用于需要将低电压逻辑信号转换为高电流输出的场景。典型应用包括驱动继电器、步进电机、直流电机、LED显示屏、打印机打印头以及各类电磁阀等电感性或高电流负载。由于其输入端兼容TTL和5V CMOS电平,可直接与微控制器、FPGA或逻辑电路连接,无需额外电平转换,简化了设计。 该器件采用SOIC-16封装,体积小,适合空间受限的印刷电路板设计,常用于工业控制、家电控制模块、自动化设备、办公设备及消费类电子产品中。其内置的反向电动势保护二极管有效防止感性负载断电时产生的高压击穿晶体管,提高了系统可靠性。 综上,ULN2003ADR是一款高集成度、高可靠性的驱动芯片,特别适用于多路中低功率负载的控制场合,是数字控制系统中理想的功率接口器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SO达林顿晶体管 Darlington |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Texas Instruments ULN2003ADR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ULN2003ADR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 其它名称 | 296-1368-1 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 141.700 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 20 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 系列 | ULN2003A |
| 配置 | Array 7 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |