Datasheet下载- 型号： SMUN5111DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5111DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5111DW1T1G价格参考￥2.38-￥2.38。ON SemiconductorSMUN5111DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5111DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5111DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5111DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于晶体管阵列类别，具有多个独立的 BJT 单元集成在一个封装内，适用于多种电子电路设计需求。以下是其主要应用场景： 1. 信号切换与放大 - SMUN5111DW1T1G 的 BJT 阵列可以用于信号切换和放大的场景，例如音频设备中的信号处理、传感器信号放大或通信系统中的低噪声放大器。 2. 驱动电路 - 在需要驱动小型负载的应用中，如 LED 驱动、继电器控制或小型电机驱动，该器件可以通过其高增益特性实现高效驱动。 3. 逻辑电平转换 - 由于其多路晶体管设计，该型号适合用于逻辑电平转换，例如在不同电压域之间传递信号，确保兼容性和稳定性。 4. 电源管理 - 在简单的电源管理电路中，如电流限制电路或过流保护电路，SMUN5111DW1T1G 可以作为关键元件，提供精确的电流控制。 5. 多通道应用 - 该器件集成了多个 BJT 单元，非常适合需要多通道控制的场合，例如多路信号选择器或多路复用器设计。 6. 消费电子产品 - 在家用电器、玩具、遥控器等消费电子产品中，该型号可用于实现低成本、高性能的控制功能。 7. 工业自动化 - 在工业领域，SMUN5111DW1T1G 可用于传感器接口、数据采集系统或简单的过程控制系统中，满足对可靠性和效率的要求。 总结来说，SMUN5111DW1T1G 凭借其紧凑的设计和多功能性，广泛应用于需要多路信号处理、驱动和控制的场景中，尤其适合对成本敏感且要求高集成度的项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5111DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300nA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | SMUN5111DW1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 385mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率-跃迁 | - |
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