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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXT12N50DXTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXT12N50DXTA价格参考¥5.61-¥5.61。Diodes Inc.ZXT12N50DXTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXT12N50DXTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXT12N50DXTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXT12N50DXTA是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要高电压和较高电流处理能力的电路中。其典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:该器件具备较高的耐压能力(500V)和良好的电流承载能力,适用于DC-DC转换器、电源管理模块中的开关元件。 2. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机的驱动电路中,ZXT12N50DXTA可用于控制电机的启停与转速,尤其是在需要多路晶体管协同工作的场合。 3. 继电器驱动:用于驱动继电器线圈,实现低压控制高压设备的通断,适用于工业自动化控制系统。 4. LED照明驱动:在大功率LED照明系统中,作为电流控制开关使用,具有较高的稳定性和可靠性。 5. 音频放大电路:虽然不是高频器件,但在低频音频功率放大电路中也可作为输出级使用。 6. 嵌入式系统与工业控制:在各类嵌入式控制系统中用于信号放大、电平转换或负载控制,适合对空间布局有要求的设计,因其实为阵列封装,可节省PCB空间。 该器件采用SOT-223封装,便于散热,适合中功率应用,且具有较好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 3A 8MSOP两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXT12N50DXTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXT12N50DXTA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 50mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 其它名称 | UZXT12N50DXTA |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7.5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 132 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 封装/箱体 | MSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 0.87 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 135 mV |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 132MHz |