ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD25483F4
Datasheet下载- 型号： CSD25483F4
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25483F4由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25483F4价格参考。Texas InstrumentsCSD25483F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD25483F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25483F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25483F4是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型尺寸的功率MOSFET产品，采用1.0mm×1.0mm DFN封装，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件主要适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源管理模块和电池供电系统；用于DC-DC转换器中的同步整流，提升电源转换效率；在LED驱动电路中作为开关元件，实现高效亮度调节；还可用于各类消费类电子产品中的电机驱动或信号开关功能。 由于其低栅极电荷和低输入电容，CSD25483F4在高频开关应用中表现优异，有助于减小整体功耗并提高系统效率。同时，DFN小型封装便于高密度PCB布局，适合追求轻薄设计的现代电子产品。 综上，CSD25483F4广泛应用于移动设备、便携电源管理、LED照明及小型电子系统的开关控制中，是一款高性能、小尺寸的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V LGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD25483F4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 198pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.959nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 205 毫欧 @ 500mA， 8V |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XLGA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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