Datasheet下载- 型号： NST3904DXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3904DXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3904DXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNST3904DXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST3904DXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3904DXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST3904DXV6T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列产品。该型号属于 NPN 晶体管阵列，广泛应用于需要多通道信号放大、开关控制和电流放大的场景。以下是其主要应用场景： 1. 多通道信号放大 - NST3904DXV6T1G 提供多个独立的 NPN 晶体管单元，适用于多通道信号放大的场合。例如，在音频设备中，可以用于驱动多个扬声器或处理多路音频信号。 - 在传感器信号处理中，可用于放大来自多个传感器的微弱信号。 2. 开关电路 - 该器件可作为电子开关使用，适用于需要控制多个负载的场景。例如，在 LED 驱动电路中，可以控制多个 LED 的亮灭。 - 在继电器驱动、电机控制或其他低功率开关应用中，也可以利用其多通道特性实现高效控制。 3. 电源管理 - 在电源管理系统中，NST3904DXV6T1G 可用于电压调节、电流限制或保护电路的设计。 - 适用于小型直流-直流转换器中的开关元件，或者在电池管理系统中监测和控制电流流动。 4. 通信与数据传输 - 在通信设备中，该晶体管阵列可用于信号调制、解调以及数据传输中的电平转换。 - 适用于 RS-232、RS-485 等串行通信接口的驱动电路设计。 5. 消费电子产品 - 在家用电器（如电视、音响、游戏机等）中，该器件可用于信号处理、功率放大和开关控制。 - 适用于遥控器、智能家居设备等需要多路输入/输出控制的产品。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现对多个传感器或执行器的控制。 - 适用于步进电机驱动、伺服电机控制等场景。 7. 测试与测量设备 - 在多通道测试仪器（如示波器、信号发生器等）中，可用于信号放大、隔离或切换功能。 总结 NST3904DXV6T1G 的多通道特性使其非常适合需要同时处理多个信号或控制多个负载的应用场景。它具有高可靠性和一致性，能够满足消费电子、通信、工业控制和测试测量等多个领域的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT563两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3904DXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NST3904DXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NST3904DXV6T1G-ND |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 357 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | NST3904DXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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