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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZHB6792TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZHB6792TA价格参考。Diodes Inc.ZHB6792TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZHB6792TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZHB6792TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZHB6792TA是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中。该器件内部集成了多个BJT晶体管,具有节省空间、提高电路集成度和可靠性等优点。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源切换电路中,实现对电流的高效控制。 2. 马达驱动与继电器控制:在小型电机驱动或继电器驱动电路中,ZHB6792TA可用于放大控制信号,驱动高电流负载。 3. 工业自动化与控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口电路等,用于信号放大、开关控制等功能。 4. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光控制等,用于功率开关或信号处理。 5. 汽车电子系统:包括车载充电系统、车灯控制模块等,适用于对可靠性和稳定性要求较高的场景。 该器件通常采用小型封装,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于中低功率的开关和放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS QUAD NPN/PNP 70V 1A SOT223两极晶体管 - BJT H-Bridge-70V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZHB6792TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZHB6792TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZHB6792TR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz, 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 70V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 500 mA at 2 V at NPN, 150 at 1 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 250 at 500 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP |
| 配置 | Quad |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 70 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |