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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMX1DXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMX1DXV6T1G价格参考。ON SemiconductorEMX1DXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMX1DXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMX1DXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的EMX1DXV6T1G是一款双极型晶体管(BJT)阵列,主要应用于需要高性能、高频率和低功耗的电路设计中。以下是其可能的应用场景: 1. 信号放大:该型号适用于音频设备、传感器信号放大等场景,能够提供稳定的增益性能,适合用于便携式音频设备或工业传感器信号处理。 2. 开关电路:由于其高速开关特性,EMX1DXV6T1G可用于各种数字逻辑电路中的开关应用,例如数据转换器、通信接口和电源管理模块中的信号切换。 3. 射频(RF)和无线通信:这款晶体管阵列支持高频操作,适合用在无线通信设备、射频前端模块以及调制解调器等需要处理高频信号的场合。 4. 电机控制与驱动:在小型电机驱动电路中,可以利用该器件实现精确的速度和方向控制,适用于家用电器、玩具及自动化设备中的小功率电机驱动。 5. 电源管理:可用于稳压器、DC-DC转换器等电源管理系统中,帮助提高效率并减少能耗,特别适合便携式电子产品的电池管理单元。 6. 保护电路:作为过流保护或短路保护的一部分,此晶体管阵列能够在异常情况下快速响应,切断电流路径以保护整个系统。 7. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备在内的多种消费类产品中,都可以找到这类晶体管的身影,它们被用来执行从简单的开关功能到复杂的信号处理任务。 总之,EMX1DXV6T1G凭借其优异的电气特性和紧凑的设计,在众多需要高效能、小尺寸解决方案的领域都有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT563两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor EMX1DXV6T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | EMX1DXV6T1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-563 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 180 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 357 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | EMX1 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | 180MHz |