MMBF4392LT1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4392LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4392LT1G价格参考￥0.48-￥0.48。ON SemiconductorMMBF4392LT1G封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4392LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4392LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBF4392LT1G是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），属于表面贴装型器件，采用SOT-23封装，适用于空间受限的高频、低噪声应用场景。该型号具有低栅极漏电流和良好的跨导特性，适合用于高输入阻抗和低噪声要求的电路设计。

主要应用场景包括：  
1. 低噪声放大器：常用于音频前置放大、传感器信号调理等对噪声敏感的模拟电路中，能有效提升信噪比。  
2. 射频（RF）电路：因其良好的高频响应特性，适用于无线通信设备中的小信号放大与混频电路。  
3. 有源滤波器与振荡器：在需要高输入阻抗和稳定性能的有源滤波、函数发生器等模拟电路中表现优异。  
4. 便携式电子设备：由于采用小型化SOT-23封装，适合智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等对尺寸和功耗要求较高的产品。  
5. 工业与测量仪器：用于精密测量设备中的信号放大与处理，如示波器、数据采集系统等。

MMBF4392LT1G具备绿色环保特性（符合RoHS标准），工作温度范围宽（-55°C至+150°C），可靠性高，适合工业级应用环境。总体而言，该JFET在需要低噪声、高输入阻抗和小型化的模拟信号处理领域具有广泛适用性。

MMBF4392LT1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4392LT1G由AMI/ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4392LT1G价格参考￥0.48-￥0.48。AMI/ON SemiconductorMMBF4392LT1G封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4392LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4392LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBF4392LT1G是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），属于表面贴装型器件，采用SOT-23封装，适用于空间受限的高频、低噪声应用场景。该型号具有低栅极漏电流和良好的跨导特性，适合用于高输入阻抗和低噪声要求的电路设计。

主要应用场景包括：  
1. 低噪声放大器：常用于音频前置放大、传感器信号调理等对噪声敏感的模拟电路中，能有效提升信噪比。  
2. 射频（RF）电路：因其良好的高频响应特性，适用于无线通信设备中的小信号放大与混频电路。  
3. 有源滤波器与振荡器：在需要高输入阻抗和稳定性能的有源滤波、函数发生器等模拟电路中表现优异。  
4. 便携式电子设备：由于采用小型化SOT-23封装，适合智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等对尺寸和功耗要求较高的产品。  
5. 工业与测量仪器：用于精密测量设备中的信号放大与处理，如示波器、数据采集系统等。

MMBF4392LT1G具备绿色环保特性（符合RoHS标准），工作温度范围宽（-55°C至+150°C），可靠性高，适合工业级应用环境。总体而言，该JFET在需要低噪声、高输入阻抗和小型化的模拟信号处理领域具有广泛适用性。