Datasheet下载- 型号： TF252TH-5-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF252TH-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF252TH-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF252TH-5-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF252TH-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF252TH-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF252TH-5-TL-H是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。该器件具有良好的高频特性和低失真性能，适用于对信号完整性要求较高的场合。 其典型应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于JFET具有低噪声和高线性度特性，TF252TH-5-TL-H常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可用于构建低失真模拟开关电路，适用于测试设备和信号路由系统。 3. 射频（RF）前端电路：在低频至中频范围内，该JFET可用于射频信号放大和处理，适用于通信设备和无线接收系统。 4. 传感器接口电路：高输入阻抗特性使其适合用于连接高阻抗传感器，如某些类型的温度、压力或光传感器。 5. 电压控制电阻应用：利用JFET的可变电阻特性，可在电压控制滤波器或增益调节电路中使用。 综上，TF252TH-5-TL-H因其低噪声、高线性度和良好的高频响应，广泛应用于音频、通信、测试测量及传感器系统等高性能模拟电路设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW 3VTFPJFET JFET 20V 1mA Nch VTFP IDSS=210 to 350 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF252TH-5-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF252TH-5-TL-H |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 210µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-VTFP |
| 其它名称 | 869-1205-1 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | TF252TH |
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