【未分类_2SK932-23-TB-E】封装/厂家_2SK932-23-TB-E中文资料_价格

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型号： 2SK932-23-TB-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK932-23-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK932-23-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK932-23-TB-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SK932-23-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK932-23-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SK932-23-TB-E 是由 ON Semiconductor 提供的一款 JFET（结型场效应晶体管）。该型号的晶体管具有低噪声、高输入阻抗和线性度好的特点，因此适合用于以下应用场景：

1. 音频信号放大：  
   由于 JFET 的低噪声特性和高线性度，2SK932-23-TB-E 可广泛应用于音频前置放大器中，例如麦克风放大器或乐器放大器。它能够准确地放大微弱的音频信号，同时保持较低的失真。

2. 射频（RF）电路：  
   JFET 在高频应用中表现出色，适用于射频电路中的信号调节和放大。2SK932-23-TB-E 的高输入阻抗特性使其成为设计低噪声 RF 放大器的理想选择。

3. 模拟开关：  
   该晶体管可以用作模拟开关，控制信号路径的开启和关闭。其高阻抗特性确保了在开关过程中对信号的影响最小。

4. 传感器信号调理：  
   在精密传感器系统中，JFET 的高输入阻抗可以避免对传感器输出信号的负载影响，从而提高测量精度。2SK932-23-TB-E 可用于医疗设备、工业自动化和环境监测等领域的信号调理电路。

5. 电源管理：  
   虽然 JFET 不是主流的功率器件，但在某些低功耗应用中，它可以用于简单的电流限制或稳压电路，例如电池供电设备中的保护电路。

6. 振荡器和混频器：  
   该型号的晶体管可以用于设计振荡器和混频器电路，特别是在需要低相位噪声和高稳定性的应用中。

总结来说，2SK932-23-TB-E 主要应用于需要低噪声、高线性度和高输入阻抗的场景，如音频处理、射频通信、传感器接口和精密信号调理等领域。具体使用时需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件搭配。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	JFET N-CH 50MA 200MW CPJFET NCH J-FET
产品分类	JFET（结点场效应分离式半导体
FET类型	N 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	50 mA
Id-连续漏极电流	50 mA
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK932-23-TB-E-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2SK932-23-TB-E
Pd-PowerDissipation	200 mW
Pd-功率耗散	200 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	15 V
Vds-漏源极击穿电压	15 V
Vgs=0时的漏-源电流	50 mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）	200mV @ 100µA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	10mA @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
产品种类	JFET
供应商器件封装	3-CP
功率-最大值	200mW
功率耗散	200 mW
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SC-59
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	3,000
漏极电流(Id)-最大值	50mA
漏极电流Id-最大值	50 mA
漏极连续电流	50 mA
漏源极电压(Vdss)	15V
漏源电压VDS	15 V
电压-击穿(V(BR)GSS)	-
电阻-RDS（开）	-
系列	2SK932

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