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  • 型号: 2SK932-23-TB-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK932-23-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK932-23-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK932-23-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK932-23-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK932-23-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET N-CH 50MA 200MW CPJFET NCH J-FET

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

50 mA

Id-连续漏极电流

50 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK932-23-TB-E-

数据手册

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产品型号

2SK932-23-TB-E

Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

15 V

Vds-漏源极击穿电压

15 V

Vgs=0时的漏-源电流

50 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

200mV @ 100µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

10mA @ 5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

产品种类

JFET

供应商器件封装

3-CP

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

3,000

漏极电流(Id)-最大值

50mA

漏极电流Id-最大值

50 mA

漏极连续电流

50 mA

漏源极电压(Vdss)

15V

漏源电压VDS

15 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

系列

2SK932

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