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Datasheet下载- 型号： MMBFJ202
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ202由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ202价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ202封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ202参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ202 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ202 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 JFET（结型场效应晶体管）。它属于 N 沟道增强型晶体管，具有低噪声、高输入阻抗和稳定的直流特性，适用于多种电子电路设计。以下是 MMBFJ202 的主要应用场景： 1. 音频信号放大 MMBFJ202 由于其低噪声特性和高输入阻抗，非常适合用于音频信号的前置放大器。它能够有效地放大微弱的音频信号，同时保持较高的保真度，广泛应用于麦克风放大器、乐器效果器等设备中。 2. 射频（RF）电路 在射频应用中，MMBFJ202 可用作低噪声放大器或混频器的核心元件。它的高频性能使其适合处理无线通信、广播接收和其他需要高频率响应的场景。 3. 开关电路 MMBFJ202 可作为模拟开关使用，在需要低导通电阻和快速切换速度的应用中表现良好。例如，它可以用于多路复用器、信号选择器等电路中。 4. 传感器接口 高输入阻抗是 MMBFJ202 的一大优势，这使得它非常适合与高阻抗传感器（如光电二极管、压电传感器）配合使用。它可以将传感器输出的微弱信号进行放大，而不会对传感器负载产生影响。 5. 电源管理 在某些低功耗系统中，MMBFJ202 可用于电流限制、电压调节或保护电路的设计。它能够在小信号控制下实现精确的电流调节。 6. 振荡器和滤波器 MMBFJ202 可用于构建 RC 或 LC 振荡器，以及有源滤波器。其线性特性和稳定性有助于生成高质量的波形或实现精确的频率选择。 7. 数据采集系统 在数据采集系统中，MMBFJ202 可作为缓冲放大器，用于隔离输入信号并提高驱动能力，同时减少对前端信号源的影响。 总结来说，MMBFJ202 凭借其优异的电气特性，适用于需要低噪声、高输入阻抗和稳定性能的各种电子电路，尤其是在音频、射频、传感器接口和信号调理等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 40V 350MW SOT23JFET N-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ202- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ202 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 4.5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 800mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 900µA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ202DKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | MMBFJ202 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 闸/源截止电压 | - 4 V |
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