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  • 型号: MMBFJ202
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ202由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ202价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ202封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBFJ202参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ202 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET N-CH 40V 350MW SOT23JFET N-Channel Transistor General Purpose

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ202-

数据手册

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产品型号

MMBFJ202

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

350 mW

Pd-功率耗散

350 mW

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 40 V

Vgs=0时的漏-源电流

4.5 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

800mV @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

900µA @ 20V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBFJ202DKR

功率-最大值

350mW

功率耗散

350 mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

60 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

40V

电阻-RDS(开)

-

系列

MMBFJ202

配置

Single

闸/源击穿电压

- 40 V

闸/源截止电压

- 4 V

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