ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002P,235
Datasheet下载- 型号： 2N7002P,235
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002P,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002P,235价格参考￥询价-￥询价。NXP Semiconductors2N7002P,235封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 360mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB（SOT23）。您可以下载2N7002P,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002P,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的2N7002P,235是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、开关速度快、导通电阻低等特点，适合在便携式和高密度电路设计中使用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：常用于电源管理中的负载开关、LED驱动开关或继电器驱动，实现高效通断控制。 2. 信号路由与逻辑控制：在数字电路中作为电平转换器或逻辑门驱动元件，适用于微控制器I/O扩展或接口电平匹配。 3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电池供电系统的低功耗控制模块。 4. 电源管理：在DC-DC转换器、LDO使能控制或电池保护电路中担任开关角色，提升系统能效。 5. 工业与汽车电子：适用于传感器接口电路、小型电机控制或车载信息系统的低功率开关应用。 2N7002P,235具备良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），符合AEC-Q101车规标准，因此也适用于汽车电子环境。其低阈值电压和快速响应特性使其在高频开关场合表现优异。 总之，该型号MOSFET因其高性能与高可靠性，广泛用于需要小型化、低功耗和高效率的电子系统中，是现代电子设计中常用的通用型N沟道MOSFET解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23MOSFET N-CH 60 V 360 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 360 mA |
| Id-连续漏极电流 | 360 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002P,235- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002P,235 |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 2N7002P235 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 10,000 |
| 正向跨导-最小值 | 400 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 360mA （Ta） |
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