Datasheet下载- 型号： TF252TH-4-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF252TH-4-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF252TH-4-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF252TH-4-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF252TH-4-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF252TH-4-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF252TH-4-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：由于JFET具有较低的噪声系数和高输入阻抗，TF252TH-4-TL-H常用于音频和射频信号的前置放大电路，特别是在麦克风、传感器信号采集等对噪声敏感的系统中。 2. 模拟开关和多路复用器：JFET具备良好的开关特性，可用于构建低失真模拟开关或信号路由电路，适用于测试仪器和自动控制系统。 3. 电压控制电阻：在某些模拟电路中，JFET可以作为可变电阻使用，TF252TH-4-TL-H可用于音量控制、滤波器调节等场合。 4. 射频（RF）应用：该器件在高频下仍具有较好的性能，适合用于射频信号处理电路，如混频器、调制解调器等。 5. 工业控制与传感器接口：在工业测量和控制系统中，用于信号调理和隔离，提升系统的稳定性和精度。 该器件采用SOT-23封装，体积小、便于贴装，适用于便携设备和高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFPJFET JunctionFET 20V 1mA Nch VTFP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF252TH-4-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF252TH-4-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 2 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 140 uA to 350 uA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 100mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-VTFP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VTFP-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏极连续电流 | 1 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | 2 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | TF252TH |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.4 V |
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