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  • 型号: TF252TH-4-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TF252TH-4-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF252TH-4-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF252TH-4-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TF252TH-4-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TF252TH-4-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET N-CH 1MA 100MW VTFPJFET JunctionFET 20V 1mA Nch VTFP

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

1 mA

Id-连续漏极电流

1 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor TF252TH-4-TL-H-

数据手册

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产品型号

TF252TH-4-TL-H

Pd-PowerDissipation

100 mW

Pd-功率耗散

100 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

2 V

Vds-漏源极击穿电压

2 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 20 V

Vgs=0时的漏-源电流

140 uA to 350 uA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

100mV @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

140µA @ 2V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3.1pF @ 2V

产品种类

JFET

供应商器件封装

3-VTFP

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

封装/箱体

VTFP-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

8,000

漏极电流(Id)-最大值

1mA

漏极连续电流

1 mA

漏源极电压(Vdss)

-

漏源电压VDS

2 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

系列

TF252TH

闸/源击穿电压

- 20 V

闸/源截止电压

- 0.4 V

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