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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7415DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7415DN-T1-E3价格参考。VishaySI7415DN-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 3.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7415DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7415DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7415DN-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET,采用1.8V逻辑电平兼容设计,具有低导通电阻(RDS(on))和小尺寸封装(PowerPAK SO-8),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件无需外部驱动电路即可直接由逻辑信号控制,具备良好的开关性能和效率。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理与负载开关控制,实现电池供电系统的高效通断。 2. DC-DC转换器:在同步整流或电压调节模块中作为高边或低边开关,提升电源转换效率。 3. 电机驱动与电源开关:适用于小型电机控制、LED驱动及热插拔电源管理,提供快速响应和低功耗运行。 4. 电池供电系统:用于电池反向保护、充放电控制和多电源路径切换,保障系统安全稳定。 5. 消费类电子与工业控制:如USB电源开关、传感器模块、IoT设备等需要低电压驱动和高可靠性的场合。 SI7415DN-T1-E3凭借其高集成度、低静态电流和优良的热性能,在要求小型化与高能效的应用中表现优异,是现代电子设备中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8MOSFET 60V 5.7A 0.065Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71691 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7415DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7415DN-T1-E3SI7415DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 5.7A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7415DN-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Ta) |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7415DN-E3 |