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Datasheet下载- 型号： SI2318DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI2318DS-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2318DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2318DS-T1-E3价格参考。VishaySI2318DS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SI2318DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2318DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2318DS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和空间受限的电路设计中。 典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源管理与负载开关，用于控制电池供电路径或模块供电的通断；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用，提升转换效率；适用于LED驱动电路，实现对背光或指示灯的高效开关控制；还可用于热插拔电路保护，防止电流冲击损坏系统元件。 此外，SI2318DS-T1-E3因其良好的开关特性和低静态功耗，也常用于各类手持设备和物联网（IoT）终端中的信号切换与电源控制。其-20V的漏源电压和-3.1A的连续漏极电流能力，使其在低电压、中等电流的应用中表现出色。总体而言，该MOSFET适合需要小型化、高效率和稳定性能的电源管理场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3MOSFET 40V 6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2318DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2318DS-T1-E3SI2318DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2318DS-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2318DS-E3 |
