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  • 型号: IRF7465TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7465TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7465TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7465TRPBF价格参考。International RectifierIRF7465TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7465TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7465TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7465TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,适用于多种电力电子设备和系统中,主要包括以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRF7465TRPBF可作为高效开关元件,用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源设计中。
   - 电压调节模块(VRM):在计算机主板、服务器和其他需要动态电压调节的场景中,该MOSFET可用于降低功耗并提高效率。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于家用电器(如风扇、水泵)、电动工具(如电钻、吸尘器)中的电机驱动电路。
   - H桥和半桥电路:用于双向电机控制或逆变器输出级,支持精确的速度和方向控制。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在消费类电子产品(如智能手机充电器、平板电脑)中,用于快速切换负载状态,保护电路免受过流或短路影响。
   - 电池管理系统(BMS):用于锂电池组的充放电保护,确保电池安全运行。

 4. 信号放大与传输
   - 低噪声放大:利用其低导通电阻(Rds(on))特性,在高频信号传输中实现高效率和低损耗。
   - 通信设备:在射频(RF)前端模块或其他通信电路中,提供稳定的电流控制能力。

 5. 汽车电子
   - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等应用中,作为功率开关元件。
   - LED照明驱动:用于汽车内外部LED灯的亮度调节和开关控制。

 6. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器(PLC):在工业控制领域,用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。
   - 传感器接口:为传感器供电或处理传感器信号时,提供高效的开关功能。

 技术优势
- 低导通电阻(Rds(on)):减少传导损耗,提高整体能效。
- 高击穿电压:支持更高的工作电压范围,增强可靠性。
- 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。
- 优异的热性能:有助于散热设计,延长器件寿命。

综上所述,IRF7465TRPBF凭借其高性能参数和稳定性,成为许多电力电子应用的理想选择,尤其在需要高效功率转换和控制的场合表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOICMOSFET MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.9 A

Id-连续漏极电流

1.9 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7465TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7465TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

330pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 1.14A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7465PBFTR
IRF7465TRPBF-ND
IRF7465TRPBFTR-ND

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

280 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

10 nC

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

1.9 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.9A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7465.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7465.spi

闸/源击穿电压

30 V

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