Datasheet下载- 型号： STF10NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF10NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF10NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTF10NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF10NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF10NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF10NM60ND 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 600V 的高耐压能力以及低导通电阻特性，适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - STF10NM60ND 常用于开关电源中的功率开关器件。其高耐压特性和低导通电阻使其能够高效地处理高电压和大电流，适合 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用作功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和高可靠性确保了电机运行的稳定性和效率。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，作为功率开关器件，将直流电转换为交流电。其高耐压性能可以承受逆变器中的高压环境。 4. 电力电子设备 - 在各种电力电子设备中，如工业控制器、焊接机等，STF10NM60ND 可用作功率开关，实现高效的能量转换和控制。 5. 负载开关 - 在需要高压负载切换的应用中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电路的通断。其低导通电阻减少了开关过程中的能量损耗。 6. 电动车及电池管理系统 (BMS) - 在电动车或储能系统的电池管理中，STF10NM60ND 可用于保护电路，防止过压、过流或短路，同时支持高效的能量分配。 7. 家电及消费电子 - 在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）中，该 MOSFET 可用于压缩机驱动、风扇控制或其他高压电路中，提供可靠的功率控制。 总结 STF10NM60ND 的高耐压（600V）、低导通电阻以及出色的开关性能，使其成为高压功率转换和控制的理想选择。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电力电子设备等领域，能够满足高效、可靠和耐用的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FPMOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF10NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF10NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12246 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251382?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STF10NM60ND |
| 配置 | Single |
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