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Datasheet下载- 型号： RSS095N05FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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RSS095N05FU6TB产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS095N05FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS095N05FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS095N05FU6TB封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 45V 9.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP。您可以下载RSS095N05FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS095N05FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSS095N05FU6TB是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理场景。该器件采用HVIC工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式设备和高密度电路设计。 典型应用场景包括： 1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关和负载切换，因其低功耗和高效率，有助于延长电池续航时间。 2. DC-DC转换器：在同步整流或降压（Buck）电路中作为主开关或整流元件，提升转换效率，降低能量损耗。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的控制电路，提供快速响应和稳定驱动能力。 4. LED背光驱动：在液晶显示屏的LED驱动电路中作为开关元件，实现精准亮度调节。 5. 电源管理模块：用于负载开关、热插拔控制和过流保护电路，具备快速响应和高可靠性。 该MOSFET采用紧凑型封装（如DFN），适合空间受限的高集成度设计，同时具备良好的散热性能。其5V额定电压适合低压系统应用，配合逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字信号控制，简化电路设计。综合来看，RSS095N05FU6TB适用于消费电子、工业控制和便携式电源系统等对效率和尺寸要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RSS095N05FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS095N05FU6TBTR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
