Datasheet下载- 型号： IPD80R1K4CEBTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD80R1K4CEBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD80R1K4CEBTMA1价格参考。InfineonIPD80R1K4CEBTMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD80R1K4CEBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD80R1K4CEBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPD80R1K4CEBTMA1 的MOSFET，属于高压功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于各类工业电源、服务器电源和电信设备中的DC-DC转换器与AC-DC电源模块，提供高效的能量转换。 2. 光伏逆变器：用于太阳能发电系统中的直流到交流转换环节，具备良好的导通损耗与开关损耗平衡，提升整体能效。 3. 电动车辆充电设备：作为功率开关元件，用于车载充电器（OBC）或充电桩电源模块中，支持高电压工作环境。 4. 电机驱动与逆变器：适用于工业电机控制、UPS（不间断电源）系统及变频器，实现对电机的高效驱动与调速。 5. LED照明电源：在大功率LED驱动电源中作为主开关器件，提高电源效率并减小系统体积。 该MOSFET具有1kV耐压能力（CoolMOS™技术），采用节能型封装设计，适合高频开关应用，兼顾性能与可靠性，是多种高效率电源系统的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | * |
| FET类型 | * |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX80R1K4CE_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IPD80R1K4CEBTMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | * |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | * |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | IPD80R1K4CEBTMA1DKR |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | * |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | * |
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