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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3LN01SS-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3LN01SS-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LN01SS-TL-H价格参考。ON Semiconductor3LN01SS-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3LN01SS-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3LN01SS-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3LN01SS-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于低电压、低功率的开关应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池供电系统，作为负载开关或电源切换元件。 2. 负载开关：用于控制外围设备的电源通断，例如USB接口、传感器模块或显示屏背光等，有助于降低待机功耗。 3. 电机控制：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件使用。 4. LED照明：用于LED背光或照明系统的开关控制，提供高效的电流控制能力。 5. 通信设备：应用于路由器、交换机等通信设备中的电源管理和信号切换电路。 6. 工业控制：用于PLC、传感器、继电器驱动等工业自动化系统中，实现低功耗、高效率的开关控制。 该器件采用小型封装（如SOT-23），适合高密度PCB布局，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于中低功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | 150 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3LN01SS-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 3LN01SS-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SMCP-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
| 系列 | 3LN01SS |
| 配置 | Single |
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