Datasheet下载- 型号： IPI04CN10N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI04CN10N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI04CN10N G价格参考。InfineonIPI04CN10N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI04CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI04CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPI04CN10N G是一款集成式功率MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该器件基于先进的Trenchstop™技术，具有100V耐压和低导通电阻（RDS(on)），适用于高效率、高密度的电源转换应用。 IPI04CN10N G主要应用于消费类电子和工业控制领域，常见于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、适配器、充电器以及LED照明驱动电源中。其优异的开关性能和热稳定性使其在高频工作条件下仍能保持低损耗，提升系统整体能效。 此外，该型号采用紧凑型PG-TSDS-6封装，具备良好的散热能力与空间利用率，适合对体积敏感的设计，如超薄电视、笔记本电脑电源、智能家居设备等。内置的快速体二极管也增强了其在反向电流处理方面的可靠性，适用于同步整流等拓扑结构。 综上，IPI04CN10N G凭借高效率、小尺寸和高可靠性，广泛用于中低功率电源系统，尤其适合追求节能与小型化的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP04CN10N_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b0626df011b2603b3996fc0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI04CN10N G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000398084 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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