Datasheet下载- 型号： FDS6680S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6680S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6680S价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6680S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6680S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6680S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6680S是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于高效能、小体积的电源管理设计。 其主要应用场景包括：便携式电子产品中的电源开关与负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源控制；在DC-DC转换器中作为同步整流开关，提升转换效率；用于电机驱动电路，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向；还可应用于LED驱动电路，实现恒流或调光控制。 此外，FDS6680S也常见于热插拔电路和过流保护电路中，凭借其快速响应特性，可有效防止电流冲击损坏系统。由于采用SO-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。总体而言，FDS6680S是一款性能稳定、可靠性高的MOSFET，适用于中低功率开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6680S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Ta） |
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