Datasheet下载- 型号： TPN3300ANH,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN3300ANH,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN3300ANH,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN3300ANH,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN3300ANH,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN3300ANH,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPN3300ANH,LQ 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TPN3300ANH,LQ 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可作为开关元件，用于控制电机的启动、停止及速度调节。其快速开关特性和稳定性使其非常适合此类应用。 3. 电池保护与充电电路 该器件可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，实现过流、短路保护功能。同时，在充电管理电路中，它可以用作同步整流器或开关元件。 4. 消费电子设备 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源开关和信号切换。TPN3300ANH,LQ 的小封装尺寸（如 LQ 封装）使其特别适合对空间要求严格的消费电子产品。 5. 信号切换与隔离 在需要高速信号切换的应用中，例如音频信号切换、数据通信接口保护等，该 MOSFET 提供了良好的性能表现。 6. 工业自动化 在工业控制领域，如 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等场合，TPN3300ANH,LQ 可用作开关或驱动元件，以控制继电器、指示灯等外部设备。 总结来说，TPN3300ANH,LQ 凭借其优异的电气特性（如低导通电阻、高电流承载能力）和紧凑的封装形式，成为许多低功耗、高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 680 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSONMOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN3300ANH |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN3300ANH,LQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN3300ANH |
| 产品型号 | TPN3300ANH,LQTPN3300ANH,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 27 W |
| Pd-功率耗散 | 27 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 下降时间 | 3.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN3300ANHLQCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
