Datasheet下载- 型号： ZVN4306A
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4306A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4306A价格参考。Diodes Inc.ZVN4306A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN4306A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4306A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4306A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 低电压应用 ZVN4306A 的最大栅极驱动电压较低（Vgs = ±20V），适合用于低电压系统，例如便携式设备、电池供电产品等。其低导通电阻特性有助于提高效率，减少功耗。 2. 开关电源（SMPS） 在开关电源中，ZVN4306A 可作为功率开关或同步整流器使用。其快速开关特性和低导通电阻使其在 DC-DC 转换器和降压/升压电路中表现出色。 3. 负载开关 ZVN4306A 常用于负载开关场景，例如 USB 充电端口、移动设备中的电源管理模块等。它可以实现对负载的精确控制，同时降低功耗和发热。 4. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，适用于玩具、风扇、微型泵等低功率电机控制。其低导通电阻有助于减少电机运行时的能耗。 5. 音频放大器 在音频放大器中，ZVN4306A 可用作输出级开关或保护电路的一部分，确保信号的稳定传输并防止过载或短路。 6. 电池保护电路 ZVN4306A 的低导通电阻和小封装特点使其非常适合用于锂离子电池或其他可充电电池的保护电路中，提供过流保护和短路保护功能。 7. 信号切换 在通信设备或测试仪器中，ZVN4306A 可用于信号切换，例如在多路复用器或模拟开关中，实现不同信号路径的切换。 8. LED 驱动 ZVN4306A 可用于驱动中小功率 LED 灯串，特别是在需要 PWM 调光的应用中，其快速开关能力和低损耗特性能够保证 LED 的亮度调节更加平滑。 总结 ZVN4306A 凭借其低导通电阻（Rds(on)）、小封装尺寸（如 SOT-23）、高开关速度和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。它特别适合低功耗、高效率的需求场景，是许多小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4306A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4306A |
| Pd-PowerDissipation | 850 mW |
| Pd-功率耗散 | 850 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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