Datasheet下载- 型号： NDS356P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS356P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS356P价格参考。Fairchild SemiconductorNDS356P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDS356P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDS356P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS356P 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、适合中低功率应用，且封装小巧，适合对空间有要求的设计。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、电池供电设备中的电源开关，用于提高能效和降低静态功耗。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中，作为控制外设电源的开关器件，实现快速启停和过流保护。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机或继电器的控制电路中，提供更高效、可靠的固态开关方案。 4. 工业控制与自动化设备：如PLC模块、传感器供电控制等，适用于需要高可靠性和稳定性的工业环境。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、照明控制等场景，具备良好的温度稳定性和耐用性。 NDS356P采用SOT-223封装，便于散热和集成，适合表面贴装工艺，广泛用于中低功率的高效能电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | NDS356PCT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
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