Datasheet下载- 型号： IRLR3636TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3636TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3636TRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3636TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR3636TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3636TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR3636TRLPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，因此在多种应用场景中表现出色。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRLR3636TRLPBF 常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源（SMPS）。它的低 Rds(on) 特性能够减少导通损耗，提高效率，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他便携式设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或无刷直流电机（BLDC）的驱动电路中。其快速开关能力和低导通电阻使其适合高效驱动风扇、泵、玩具电机等应用。 3. 电池保护与管理 在电池组中，IRLR3636TRLPBF 可用作充放电控制开关，以防止过流、短路或过放电等问题。它广泛应用于锂电池保护电路、电动车电池管理系统（BMS）等领域。 4. 负载切换 该器件适用于需要频繁开启和关闭负载的应用场景，例如汽车电子中的继电器替代方案、LED 驱动器以及音频放大器中的负载切换功能。 5. 通信设备 在基站、路由器和其他通信设备中，IRLR3636TRLPBF 可用于信号路径的开关控制或功率分配网络中，确保高效且可靠的运行。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，这款 MOSFET 可用于伺服电机控制、可编程逻辑控制器（PLC）输出模块以及传感器接口电路中，提供稳定的开关性能。 7. 消费电子产品 包括平板电脑、数码相机、游戏机等在内的消费电子产品中，IRLR3636TRLPBF 可用于电源管理和外围设备接口的设计。 总之，IRLR3636TRLPBF 凭借其卓越的电气特性和可靠性，成为众多低电压、大电流应用的理想选择，特别适合对效率和散热有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAKMOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 99 A |
| Id-连续漏极电流 | 99 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3636TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3636TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 143 W |
| Pd-功率耗散 | 143 W |
| Qg-GateCharge | 49 nC |
| Qg-栅极电荷 | 49 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 216 ns |
| 下降时间 | 69 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3779pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 143W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 配置 | Single |
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