【晶体管 - FET，MOSFET - 单_ZXMP6A13FQTA】封装/厂家_ZXMP6A13FQTA中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMP6A13FQTA

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： ZXMP6A13FQTA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A13FQTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A13FQTA价格参考。Diodes Inc.ZXMP6A13FQTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 60V 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23。您可以下载ZXMP6A13FQTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A13FQTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的ZXMP6A13FQTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   ZXMP6A13FQTA常用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率，特别适合用于便携式设备、消费电子和工业控制系统的电源管理模块。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动电路中，ZXMP6A13FQTA可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长器件寿命，适用于家用电器、电动工具和自动化设备中的电机控制。

 3. 电池保护
   该MOSFET可以用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等异常情况。通过精确控制充电和放电路径，ZXMP6A13FQTA能够确保电池的安全性和可靠性，广泛应用于锂电池组、移动电源和其他储能系统。

 4. 信号切换
   在通信设备和数据传输系统中，ZXMP6A13FQTA可以用作信号切换元件，实现不同信号路径之间的快速切换。其低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频信号处理和高速数据传输应用。

 5. LED驱动
   ZXMP6A13FQTA还可以用于LED驱动电路，作为电流控制或调光功能的关键元件。其低导通电阻有助于减少功耗，提高LED的亮度和能效，适用于背光显示、照明系统和汽车灯控等领域。

 6. 静电放电（ESD）保护
   由于其低漏电流和高击穿电压特性，ZXMP6A13FQTA也可以用作ESD保护元件，防止敏感电路受到静电损坏。它能够在瞬态电压超过安全范围时迅速导通，保护后续电路免受损害。

综上所述，ZXMP6A13FQTA凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电子设备和系统中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效开关和低功耗的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Diodes Incorporated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	ZXMP6A13FQTA
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	*
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	219pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	2.9nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	400 毫欧 @ 900mA，10V
供应商器件封装	SOT-23
其它名称	ZXMP6A13FQTADIDKR
其它图纸
功率-最大值	625mW
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	900mA （Ta）