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Datasheet下载- 型号： IRF6674TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6674TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6674TRPBF价格参考。International RectifierIRF6674TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6674TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6674TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6674TRPBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适合多种高性能电力电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效电源模块设计。 2. 同步整流器：在开关电源（SMPS）中作为同步整流元件使用，替代传统二极管，以提高转换效率。 3. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路，实现精准的速度与功率控制，常见于工业自动化和电动工具中。 4. 负载开关与电源管理：在电池管理系统（BMS）或智能电源分配系统中，用于控制高电流负载的通断。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等汽车应用。 6. 高频逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，用于实现高效率、高频切换的功率转换。 该MOSFET采用TrenchFET技术，具备优异的导通与开关性能，同时具备较高的可靠性和耐用性，是工业与汽车应用中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6674TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 13.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6674TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.4A （Ta）， 67A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6674.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6674.spi |
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