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Datasheet下载- 型号： RSQ020N03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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RSQ020N03TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ020N03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ020N03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ020N03TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)。您可以下载RSQ020N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSQ020N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM半导体的RSQ020N03TR是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻（典型值为2.0mΩ @ VGS=10V），适用于高效率、低功耗的应用场景。该器件采用TSON-8封装，体积小巧，散热性能良好，适合高密度电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升转换效率，降低能量损耗，适用于笔记本电脑、平板和路由器等便携式设备的电源模块。 2. 电池供电设备：因其低导通电阻和低开关损耗，常用于智能手机、可穿戴设备和移动电源中的负载开关或电池保护电路，延长电池续航时间。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和高效控制，常见于无人机、电动玩具和家用小家电中。 4. 热插拔与负载开关：可用于服务器、通信设备中的热插拔控制，防止电流冲击，保护后级电路。 5. LED驱动：在大电流LED驱动电路中作为开关使用，实现高效恒流控制。 RSQ020N03TR具备良好的栅极耐压能力（最高±20V）和高电流承载能力（连续漏极电流可达18A），配合其优异的热性能，使其在紧凑型高功率应用中表现出色。综合来看，该MOSFET适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RSQ020N03TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 134 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ020N03CT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
