【未分类_NTD20N03L27-1G】封装/厂家_NTD20N03L27-1G中文资料_价格

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型号： NTD20N03L27-1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20N03L27-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20N03L27-1G价格参考。ON SemiconductorNTD20N03L27-1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTD20N03L27-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD20N03L27-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD20N03L27-1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - NTD20N03L27-1G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 15mΩ）和高电流能力（连续漏极电流 Id 高达 48A），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 应用实例：适配器、充电器、DC-DC 转换器等。

 2. 电机驱动
   - 该器件的低导通电阻可以减少功率损耗，提高效率，适合驱动小型直流电机或步进电机。
   - 应用实例：家用电器（如风扇、水泵）、电动工具、无人机电机驱动等。

 3. 负载开关
   - 在需要快速切换负载的应用中，NTD20N03L27-1G 可以用作高效的负载开关。
   - 应用实例：汽车电子、工业自动化设备中的负载管理。

 4. 逆变器
   - 由于其低导通电阻和良好的热性能，这款 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，实现高效的电能转换。
   - 应用实例：小型太阳能发电系统、不间断电源 (UPS) 等。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池保护电路中，NTD20N03L27-1G 可用于控制电池充放电路径，防止过流、短路等问题。
   - 应用实例：电动车电池组、便携式设备锂电池保护电路。

 6. 汽车电子
   - 该 MOSFET 符合汽车级应用的要求，可用于车载电子设备中的功率开关或电机驱动。
   - 应用实例：车窗升降器、座椅调节电机、LED 照明控制等。

 7. 信号放大与缓冲
   - 在某些低频信号处理场景中，NTD20N03L27-1G 可用作信号放大或缓冲元件。
   - 应用实例：音频功放、传感器信号调理电路。

 总结
NTD20N03L27-1G 凭借其出色的电气特性（如低 Rds(on)、高 Id 和低栅极电荷 Qg），在高效功率转换、电机驱动、负载开关等领域表现出色，适用于消费电子、工业设备、汽车电子以及可再生能源等多个行业。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTD20N03L27-1G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1260pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18.9nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	27 毫欧 @ 10A，5V
供应商器件封装	I-Pak
功率-最大值	1.75W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Ta）