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  • 型号: SN7002N E6433
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SN7002N E6433由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN7002N E6433价格参考。InfineonSN7002N E6433封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SN7002N E6433参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN7002N E6433 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为SN7002N E6433的MOSFET,属于N沟道增强型场效应晶体管(FET),常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统,因其具备较低的导通电阻和良好的热稳定性。

2. 电机驱动与继电器驱动:在小型电机或继电器控制电路中作为开关元件使用,适合工业自动化和家电控制模块。

3. LED照明系统:用于LED驱动电路中的开关控制,支持高效能与节能设计。

4. 通信设备与网络产品:常见于路由器、交换机等设备中的电源控制与信号切换电路。

5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准的版本可用于车载电源管理、传感器控制等场景,提升系统可靠性。

该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

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产品图片

产品型号

SN7002N E6433

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 26µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

45pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

SN7002NE6433XT
SP000014635

功率-最大值

360mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

10,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

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