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Datasheet下载- 型号： SI4442DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4442DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4442DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4442DY-T1-E3价格参考。VishaySI4442DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4442DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4442DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4442DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电池供电系统，作为负载开关或电源切换器件，具有低导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗。 2. DC-DC 转换器：用于同步整流电路中，提高转换效率，适用于小型化、高效率的电源模块设计。 3. 电机驱动与负载控制：在小型电机、风扇或继电器控制电路中作为开关元件，具备较高的耐用性和响应速度。 4. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、照明控制及辅助电源管理系统，因其具备良好的热稳定性和可靠性，适合在复杂电磁环境中工作。 5. 工业控制设备：用于 PLC、传感器模块及自动化设备中的信号控制与功率切换。 该器件采用 8 引脚 TSOP 封装，体积小、易于焊接，适合表面贴装工艺，适用于高密度 PCB 设计。由于其优异的性能和广泛的适用性，SI4442DY-T1-E3 是许多中低功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOICMOSFET 30V 22A 3.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4442DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4442DY-T1-E3SI4442DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4442DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4442DY-E3 |
