Datasheet下载- 型号： BSH203,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSH203,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH203,215价格参考。NXP SemiconductorsBSH203,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSH203,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSH203,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BSH203,215型号晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单通道类型，广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：作为高效的开关元件，用于DC-DC转换器、降压或升压电路中，实现电压调节。 - 负载开关：用于控制电路中负载的通断，保护后级电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理：在电池充电和放电电路中，用作电流控制或保护开关。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器（如风扇、水泵）和消费电子产品的电机控制。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于信号路径的切换。 - 用于音频或视频信号的切换，提供低噪声和高稳定性的性能。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小，限制异常电流流动，保护下游电路。 - 短路保护：在发生短路时快速切断电流路径，避免损坏其他元件。 - ESD保护：利用其低导通电阻特性，减少静电放电对敏感器件的影响。 5. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，用于电源管理和外围设备控制。 - 在USB接口、SD卡槽等外设中，用作开关或保护元件。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于传感器信号处理、继电器替代、驱动电路等。 - 用于LED驱动电路中，控制LED亮度或颜色变化。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中，用于车窗升降、座椅调节、雨刷控制等电机驱动电路。 - 用于车载信息娱乐系统的电源管理和信号切换。 特性优势： - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 高可靠性：能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。 综上所述，BSH203,215型号的MOSFET因其优异的性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23MOSFET TAPE7 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 470 mA |
| Id-连续漏极电流 | 470 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH203,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSH203,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 417 mW |
| Pd-功率耗散 | 417 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 660 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 660 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 680mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 280mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8027-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 417mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 660 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 470 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 470mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSH203 T/R |
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