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  • 型号: BSH203,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSH203,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH203,215价格参考。NXP SemiconductorsBSH203,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSH203,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSH203,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23MOSFET TAPE7 MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

470 mA

Id-连续漏极电流

470 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH203,215-

数据手册

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产品型号

BSH203,215

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

417 mW

Pd-功率耗散

417 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

660 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

660 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

4.5 ns

下降时间

4.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

680mV @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

110pF @ 24V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

900 毫欧 @ 280mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-8027-1

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

417mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

660 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

470 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

470mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSH203 T/R

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