【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IPB027N10N3GATMA1】封装/厂家_IPB027N10N3GATMA1中文资料_价格

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型号： IPB027N10N3GATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB027N10N3GATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB027N10N3GATMA1价格参考。InfineonIPB027N10N3GATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 300W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载IPB027N10N3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB027N10N3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的IPB027N10N3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于硅基CoolMOS™ C3系列，具有100V耐压和低导通电阻（典型值约2.7mΩ），适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用TO-263（D²PAK）封装，具备良好的热性能和可靠性。

主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效AC-DC和DC-DC转换器中，尤其适用于LLC谐振转换器和硬开关拓扑结构。

2. DC-DC转换器：在负载点（POL）转换器、电压调节模块（VRM）等中作为同步整流或主开关使用，提升转换效率。

3. 电机驱动：适用于工业自动化、电动工具和家用电器中的低压直流电机或步进电机驱动电路。

4. 新能源系统：可用于太阳能微型逆变器、储能系统中的功率级设计，支持高能效和紧凑化设计需求。

5. 照明电源：应用于高亮度LED驱动电源，满足高功率密度与长寿命要求。

得益于其低栅极电荷和优异的开关性能，IPB027N10N3GATMA1在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适合追求小型化与高效率的设计。同时，其坚固的制造工艺确保了在严苛环境下的稳定运行，是工业、通信和消费类高端电源设计的理想选择。

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