Datasheet下载- 型号： FQU3N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU3N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU3N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU3N60CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU3N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU3N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU3N60CTU是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，实现高效的能量转换和稳定的电压输出。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机控制电路中作为功率开关，用于工业自动化设备和机器人系统。 3. 照明系统：应用于LED驱动电源中，特别是在高亮度LED照明设备中，提供高效能的恒流控制。 4. 消费电子产品：如电视、显示器、音响设备中的电源模块，用于提升能效和减小体积。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED车灯驱动、车载充电器等场景，满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET具备较高的耐压能力（600V）和良好的导通电阻特性，适合中高功率应用。其封装形式（如TO-252）便于散热和安装，适用于多种电路设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU3N60CTU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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