ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VP5600HR5
Datasheet下载- 型号： MRFE6VP5600HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5600HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5600HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5600HR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230。您可以下载MRFE6VP5600HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP5600HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230射频MOSFET晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP5600HR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6VP5600HR5 |
| Pd-PowerDissipation | 1667 W |
| Pd-功率耗散 | 1667 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 130 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRFE6VP5600HR5DKR |
| 功率-输出 | 600W |
| 功率耗散 | 1667 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 13.155 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25 dB at 230 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 封装/箱体 | NI-1230 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 130 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 系列 | MRFE6VP5600H |
| 输出功率 | 600 W at Peak |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 频率 | 1.8 MHz to 600 MHz |
| 额定电流 | - |
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