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  • 型号: MRFE6VP5600HR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5600HR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5600HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5600HR5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230。您可以下载MRFE6VP5600HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRFE6VP5600HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 MRFE6VP5600HR5 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管,主要应用于高功率射频放大系统。该器件基于 NXP 先进的 LDMOS 技术,支持在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 频率范围内高效工作,特别适用于蜂窝通信基站中的多载波功率放大器(MCPA)模块。

典型应用场景包括第四代(4G LTE)和第五代(5G)移动通信基础设施,如宏蜂窝基站、远程无线单元(RRU)和分布式天线系统(DAS)。其高输出功率(可达600W)、高效率和良好的热稳定性,使其在大容量、高数据速率传输场景中表现优异。此外,MRFE6VP5600HR5 还广泛用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频能量应用,例如射频加热、等离子生成和工业感应加热设备。

该器件采用高可靠性陶瓷封装(HR5),具备出色的散热性能和长期工作稳定性,适合在严苛环境条件下运行。同时,它对负载失配具有较强的耐受能力,提高了系统在实际部署中的鲁棒性。因此,MRFE6VP5600HR5 被广泛用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频放大场合,是现代无线通信和工业射频系统中的关键元器件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230射频MOSFET晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

产品分类

RF FET分离式半导体

品牌

Freescale Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP5600HR5-

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产品型号

MRFE6VP5600HR5

Pd-PowerDissipation

1667 W

Pd-功率耗散

1667 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

130 V

Vds-漏源极击穿电压

130 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

NI-1230

其它名称

MRFE6VP5600HR5DKR

功率-输出

600W

功率耗散

1667 W

包装

Digi-Reel®

单位重量

13.155 g

商标

Freescale Semiconductor

噪声系数

-

增益

25 dB at 230 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

NI-1230

封装/箱体

NI-1230

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

LDMOS(双)

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

130 V

电压-测试

50V

电压-额定

130V

电流-测试

100mA

系列

MRFE6VP5600H

输出功率

600 W at Peak

配置

Dual

闸/源击穿电压

10 V

频率

1.8 MHz to 600 MHz

额定电流

-

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