Datasheet下载- 型号： NDD04N50Z-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N50Z-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N50Z-1G价格参考。ON SemiconductorNDD04N50Z-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD04N50Z-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD04N50Z-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NDD04N50Z-1G是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有500V的漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中的功率开关元件，用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机控制：用于直流电机或步进电机的驱动电路中，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 照明系统：如LED驱动电源，用于调光或恒流控制，支持高效节能的照明方案。 4. 家电控制：如电磁炉、电风扇、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。 5. 工业自动化：用于PLC、继电器替代电路或工业电机控制中，提供高可靠性和长寿命的开关功能。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于多种中高功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NDD04N50Z-1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 308pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NDD04N50Z-1G-ND |
| 功率-最大值 | 61W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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