Datasheet下载- 型号： NTGD3147FT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD3147FT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD3147FT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD3147FT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD3147FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD3147FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD3147FT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET，采用5引脚TSOP封装。该器件常用于需要高效、低电压操作的场合。以下是其主要应用场景： 1. 负载开关：适用于电池供电设备中的电源管理，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，用于控制不同功能模块的供电，实现节能和高效管理。 2. 马达驱动：在小型直流马达或步进马达控制电路中作为开关元件，常见于打印机、扫描仪、玩具和小型机器人等设备。 3. 电源转换：用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提高转换效率，适用于电源适配器、电源模块和工业控制系统。 4. LED背光驱动：用于液晶显示器（LCD）背光调节，实现亮度控制和节能。 5. 通信设备：用于通信模块中的信号切换或电源控制，如路由器、交换机和基站设备中的低功耗控制电路。 6. 汽车电子：在车载系统中用于灯光控制、风扇驱动和电源管理等应用，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET具有低导通电阻、小型封装和良好的热性能，适合高密度和高效率要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGD3147FT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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