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  • 型号: FGA25N120ANTDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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FGA25N120ANTDTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGA25N120ANTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA25N120ANTDTU价格参考¥13.35-¥26.24。Fairchild SemiconductorFGA25N120ANTDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P。您可以下载FGA25N120ANTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA25N120ANTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

50ns/190ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

90A

描述

IGBT 1200V 50A 312W TO3PIGBT 晶体管 Copak Discrete

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

200nC

IGBT类型

NPT 和沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA25N120ANTDTU-

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产品型号

FGA25N120ANTDTU

PCN设计/规格

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SwitchingEnergy

4.1mJ (开), 960µJ (关)

TestCondition

600V,25A,10 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.65V @ 15V, 50A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3P

其它名称

FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND

功率-最大值

312W

功率耗散

312 W

包装

管件

单位重量

6.401 g

反向恢复时间(trr)

350ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

50 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 250 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50A

系列

FGA25N120ANTDTU

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2 V

集电极最大连续电流Ic

50 A

零件号别名

FGA25N120ANTDTU_NL

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