Datasheet下载- 型号： IXYP20N120C3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYP20N120C3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYP20N120C3价格参考。IXYSIXYP20N120C3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXYP20N120C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXYP20N120C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXYP20N120C3是一款高耐压、大电流能力的功率MOSFET器件，主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具备低导通电阻和良好的热稳定性，适合用于以下场景： 1. 工业电源与变频器：用于直流-交流逆变电路或高频开关电源中，提供高效的能量转换。 2. 电机驱动系统：适用于交流伺服电机、步进电机等控制电路，实现精确的速度与扭矩调节。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的DC/AC变换模块，支持清洁能源的高效并网。 4. 电动汽车相关设备：包括车载充电器、电驱系统辅助电源等对可靠性要求较高的应用。 5. UPS不间断电源：在逆变器部分用于实现市电与电池之间的无缝切换，保障供电连续性。 该器件采用TO-247封装，便于散热与安装，广泛适用于各类中高功率电力电子装置中。使用时需注意其工作电压与电流范围，并配合合适的驱动与保护电路，以确保稳定运行与延长使用寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/90ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A 278W TO-220IGBT 晶体管 GenX3 1200V XPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 53nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYP20N120C3GenX3™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYP20N120C3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| SwitchingEnergy | 1.3mJ （开）， 500µJ （关） |
| TestCondition | 600V，20A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.4V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 278W |
| 功率耗散 | 278 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | IXYP20N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 4 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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