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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGAF20N60SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGAF20N60SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGAF20N60SMD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGAF20N60SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGAF20N60SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGAF20N60SMD 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款功率MOSFET器件,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具备较高的耐用性和效率,适用于以下主要应用场景: 1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),因其高耐压(600V)和较大导通电流能力(20A),适合高效能电源设计。 2. 电机驱动:在工业自动化和家电中,用于控制直流或无刷电机的运行,提供快速开关和低损耗性能。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 照明系统:包括LED路灯、舞台灯等大功率照明设备中的电源管理模块。 5. 电动汽车相关应用:如车载充电器、DC-DC转换器等,满足新能源汽车对高效率和高可靠性的需求。 该器件采用表面贴装封装(如D²PAK),便于自动化生产和良好散热,适合高功率密度设计。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 12ns/91ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PFIGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 64nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGAF20N60SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGAF20N60SMD |
PCN封装 | |
SwitchingEnergy | 452µJ (开), 141µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 75W |
功率耗散 | 62.5 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7 g |
反向恢复时间(trr) | 26.7ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3PF |
封装/箱体 | TO-3PF |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGAF20N60 |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |