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- 型号： IXST40N60B2D1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXST40N60B2D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXST40N60B2D1价格参考。IXYSIXST40N60B2D1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXST40N60B2D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXST40N60B2D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXST40N60B2D1是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管类型，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和40A的连续漏极电流能力，采用先进的技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。 该MOSFET主要应用于以下领域： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，适用于需要高效能和高可靠性的工业电源系统。 2. 电机驱动与控制：可用于变频器、伺服驱动器和无刷直流电机控制器，提供快速开关和高效能输出。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源及储能系统中，作为核心开关元件实现电能形式的高效转换。 4. 工业自动化设备：用于工业控制模块、PLC电源管理、高精度传感器供电系统等场合。 5. 汽车电子：如电动汽车（EV）充电模块、车载DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中，满足高可靠性和耐环境要求。 6. 消费类电子产品：如高功率LED照明驱动、智能家电电源模块等，支持节能与小型化设计。 该器件采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于高功率密度设计。其优异的性能使其在高频率开关应用中表现突出，同时具备良好的抗过载和热保护能力，适合多种苛刻环境下的稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 48A TO268 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXST40N60B2D1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | - |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 48A |
| 输入类型 | 标准 |
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