Datasheet下载- 型号： STGW40H65FB
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW40H65FB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW40H65FB价格参考￥15.15-￥16.35。STMicroelectronicsSTGW40H65FB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGW40H65FB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW40H65FB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW40H65FB是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET（UGBT）系列，适用于多种高电压、高效率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STGW40H65FB常用于开关电源的设计中，包括AC-DC和DC-DC转换器。其650V的击穿电压和低导通电阻（典型值为0.32Ω）使其能够高效处理高电压输入，并在高频开关条件下保持较低的功耗。 2. 太阳能逆变器 在光伏系统中，这款MOSFET可用于微型逆变器或功率优化器中，实现高效的直流到交流转换。其快速开关特性和低损耗有助于提高整体系统的能源转换效率。 3. 电机驱动与控制 该器件适用于工业电机驱动、家用电器中的电机控制以及电动工具的驱动电路。它可以承受高电压瞬变，并提供稳定的电流输出以驱动负载。 4. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，STGW40H65FB可用于电池充电电路和逆变电路中，确保在市电中断时能够快速切换并稳定供电。 5. 电动车与充电桩 这款MOSFET也可应用于电动车的车载充电器（OBC）和充电桩中，支持高电压环境下的高效能量传输和管理。 6. PFC（功率因数校正）电路 在需要功率因数校正的应用中，如家电、工业设备等，STGW40H65FB能够帮助实现更高的功率因数和更低的谐波失真。 7. LED驱动器 高压MOSFET适合用于大功率LED照明的驱动电路中，尤其是在需要恒流控制或调光功能的情况下。 总结来说，STGW40H65FB凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种需要高效能、高可靠性的电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 40ns/142ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 283W TO247IGBT 晶体管 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 210nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW40H65FB- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW40H65FB |
| SwitchingEnergy | 498mJ （开）， 363mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14036-5 |
| 功率-最大值 | 283W |
| 功率耗散 | 283 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGW40H65FB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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