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  • 型号: FGPF10N60UNDF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF10N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF10N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF10N60UNDF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF10N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF10N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGPF10N60UNDF是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高压MOSFET,属于IGBT与MOSFET产品类别中的单N沟道高压功率MOSFET。该器件额定电压为600V,适合高效率、高频率的开关应用。

其主要应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如服务器电源、通信电源和工业电源模块,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提升能效并减少热损耗。  
2. 照明系统:适用于电子镇流器、LED驱动电源等高压照明应用,支持高频工作,有助于实现小型化和高效驱动。  
3. 消费类电器:用于空调、洗衣机等变频家电中的功率控制电路,配合PWM控制实现电机调速与节能运行。  
4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统的小型或微型逆变器中作为关键开关元件,助力直流到交流的高效转换。  
5. 工业控制设备:应用于工业电源、UPS(不间断电源)及DC-DC转换器中,满足对可靠性和耐压能力的严苛要求。

该器件采用先进的工艺技术,具备优良的雪崩能量耐受能力和高温稳定性,同时封装形式利于散热和系统集成。综合性能使其成为中高功率开关应用中的优选器件,尤其适合追求高效率与高可靠性的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

8ns/52.2ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

30A

描述

IGBT 600V 20A 42W TO-220FIGBT 晶体管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

37nC

IGBT类型

NPT

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF10N60UNDF-

数据手册

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产品型号

FGPF10N60UNDF

PCN封装

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PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

150µJ (开), 50µJ (关)

TestCondition

400V, 10A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.45V @ 15V,10A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

42W

功率耗散

17 W

包装

管件

单位重量

2.270 g

反向恢复时间(trr)

37.7ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

20 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220F

工厂包装数量

50

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20A

系列

FGPF10N60UNDF

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2 V

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