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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF10N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF10N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF10N60UNDF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF10N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF10N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF10N60UNDF是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高压MOSFET,属于IGBT与MOSFET产品类别中的单N沟道高压功率MOSFET。该器件额定电压为600V,适合高效率、高频率的开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如服务器电源、通信电源和工业电源模块,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提升能效并减少热损耗。 2. 照明系统:适用于电子镇流器、LED驱动电源等高压照明应用,支持高频工作,有助于实现小型化和高效驱动。 3. 消费类电器:用于空调、洗衣机等变频家电中的功率控制电路,配合PWM控制实现电机调速与节能运行。 4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统的小型或微型逆变器中作为关键开关元件,助力直流到交流的高效转换。 5. 工业控制设备:应用于工业电源、UPS(不间断电源)及DC-DC转换器中,满足对可靠性和耐压能力的严苛要求。 该器件采用先进的工艺技术,具备优良的雪崩能量耐受能力和高温稳定性,同时封装形式利于散热和系统集成。综合性能使其成为中高功率开关应用中的优选器件,尤其适合追求高效率与高可靠性的设计需求。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 8ns/52.2ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
描述 | IGBT 600V 20A 42W TO-220FIGBT 晶体管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 37nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF10N60UNDF- |
数据手册 | |
产品型号 | FGPF10N60UNDF |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 150µJ (开), 50µJ (关) |
TestCondition | 400V, 10A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.45V @ 15V,10A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 42W |
功率耗散 | 17 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
反向恢复时间(trr) | 37.7ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 20 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220F |
工厂包装数量 | 50 |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
系列 | FGPF10N60UNDF |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |