ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > FGA40N65SMD
Datasheet下载- 型号： FGA40N65SMD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FGA40N65SMD产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA40N65SMD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA40N65SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGA40N65SMD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA40N65SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA40N65SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA40N65SMD是一款MOSFET晶体管，属于超低功耗沟道场效应晶体管（UGBT）系列。其应用场景广泛，尤其适用于需要高效能、低损耗和高开关速度的电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：FGA40N65SMD可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和交流-直流转换器等电源管理系统。其低导通电阻和高击穿电压使其能够有效减少能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在工业自动化和家用电器领域，该MOSFET可用来控制电机的启动、停止和调速。它适合应用于小型无刷直流电机（BLDC）驱动器或步进电机控制器中，提供精确的电流控制和快速响应。 3. 太阳能逆变器：作为关键元件之一，FGA40N65SMD可以用于太阳能发电系统的逆变器中，将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。其高耐压特性和低开关损耗有助于提升逆变器的整体性能。 4. 电池充电与保护电路：此型号适用于锂电池或其他类型电池的充放电管理电路中，确保安全高效的充电过程，并防止过充、过放及短路等问题。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等便携式设备中也常见到这类MOSFET的身影。它们帮助实现紧凑设计的同时保持良好的散热效果。 6. 汽车电子系统：尽管主要定位于工业及消费品市场，但在某些非核心车载应用（如车窗升降机、座椅调节装置）里也可能采用类似规格的产品。 总之，凭借其卓越的电气特性，FGA40N65SMD非常适合各种需要高性能功率转换和控制的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 12ns/92ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 349W TO3PIGBT 晶体管 650V, 40A Field Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 119nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA40N65SMD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA40N65SMD |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 820µJ （开）， 260µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 6 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | FGA40N65SMD-ND |
| 功率-最大值 | 349W |
| 功率耗散 | 349 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | 42ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | FGA40N65SMD |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
