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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NGB8202ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8202ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8202ANT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8202ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8202ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8202ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8202ANT4G是Littelfuse Inc.推出的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于单N沟道MOSFET器件。该型号广泛应用于需要高效开关和功率管理的电子系统中。其主要应用场景包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电池供电设备等。 由于具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，NGB8202ANT4G在便携式电子产品（如笔记本电脑、移动电源）、消费类电子设备（如智能家电、LED照明驱动）以及工业控制模块中表现优异。此外，该器件符合RoHS标准，并采用绿色环保封装，适用于注重环保与可靠性的现代电子设计。 在汽车电子领域，该MOSFET也可用于车载电源转换模块或辅助驱动电路，满足严苛环境下的稳定运行需求。总体而言，NGB8202ANT4G凭借其高性能和高可靠性，适用于多种中低功率开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 20A 150W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8202ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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